捷歐路JEOL JEM-2200FS 場發射透射電子顯微鏡
名稱：其他儀器與工具
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簡介：捷歐路JEOL JEM-2200FS 場發射透射電子顯微鏡配備場發射電子槍和型內置式能量過濾器(Omega過濾器)。 利用過濾器的功能，不僅可以進行樣品中的元素分析，還能分析化學結合狀態，從零損失像和能量過濾像中獲得感興趣的有用信息。捷歐路...
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- 產品介紹
捷歐路JEOL JEM-2200FS 場發射透射電子顯微鏡配備場發射電子槍和Ω型內置式能量過濾器(Omega過濾器)。 利用過濾器的功能，不僅可以進行樣品中的元素分析，還能分析化學結合狀態，從零損失像和能量過濾像中獲得感興趣的有用信息。捷歐路JEOL JEM-2200FS 場發射透射電子顯微鏡鏡筒內置式能量過濾器能獲取高精度的能量過濾像及電子能量損失譜，優化設計的過濾器能提供無畸變的過濾像。
捷歐路JEOL JEM-2200FS 場發射透射電子顯微鏡電子槍、透鏡、過濾器等電子光學系統、測角臺、抽真空系統等全部由計算機控制。系統的穩定性高，因此能獲得穩定的數據。捷歐路JEOL JEM-2200FS 場發射透射電子顯微鏡采用四級中間鏡和兩級投影鏡的新成像系統，在很大的倍率和相機長度范圍，實現了TEM像及衍射花樣的磁轉角補償（無磁轉角）。捷歐路JEOL JEM-2200FS 場發射透射電子顯微鏡新的測角臺采用了壓電陶瓷控制，方便操作原子級的視場搜索。
| 物鏡種類*1 |
極高分辨率 （UHR）型 |
高分辨率 （HR）型 |
樣品高傾斜 （HT）型 |
樣品冷卻 （CR）型 |
高襯度 （HC）型 |
| 分辨率 | |||||
|
點分辨率 晶格分辨率 |
0.19 nm 0.1 nm |
0.23 nm 0.1 nm |
0.25 nm 0.1 nm |
0.27 nm 0.14 nm |
0.31 nm 0.14 nm |
| 能量分辨率 | 0.8 eV（零損失 FWHM） | ||||
| 加速電壓 | 160 kV，200 kV*2 | ||||
| 電子槍 | |||||
| 發射體 | ZrO/W(100) 肖特基式 | ||||
| 亮度 | ≧4×108 A／cm2 ・ sr | ||||
| 真空度 | ×10-8 Pa 級 | ||||
| 探針電流 | 探針直徑為１ nm ，在0.5 nA以上 | ||||
| 穩定度 | |||||
| 加速電壓 | ≦1×10-6／min | ||||
| 物鏡電流 | ≦1×10-6／min | ||||
| 過濾器電流 | ≦1×10-6／min | ||||
| 物鏡 | |||||
| 焦距 | 1.9 mm | 2.3 mm | 2.7 mm | 2.8 mm | 3.9 mm |
| 球差系數 | 0.5 mm | 1.0 mm | 1.4 mm | 2.0 mm | 3.3 mm |
| 色差系數 | 1.1 mm | 1.4 mm | 1.8 mm | 2.1 mm | 3.0 mm |
| 最小焦距步長 | 1.0 nm | 1.4 nm | 1.8 nm | 2.0 nm | 5.2 nm |
| 束斑尺寸 | |||||
| TEM 模式 | 2 ～ 5 nm | ７ ～30 nm | |||
| EDS 模式 | 0.5 ～ 2.4 nm | 1.0 ～2.4 nm | - | 4 ～20 nm | |
| NBD 模式 | 0.5 ～ 2.4 nm | 1.0 ～2.4 nm | - | - | |
| CBD 模式 | 0.5 ～ 2.4 nm | 1.0 ～2.4 nm | - | ||
| 電子束衍射 | |||||
| 衍射角(2α) | 1.5 to 20 mrad 以上 | - | |||
| 取出角 | ±10 ° | - | |||
| 倍率 | |||||
| MAG 模式 | ×2,000 ～ 1,500,000 | ×2,000 ～ 1,200,000 | ×1,500 ～ 1,000,000 | ×1,200 ～ 600,000 | |
| LOW MAG 模式 | ×50 to1,500 | ||||
| SA MAG 模式 | ×10,000 ～ 800,000 | ×8,000 ～ 600,000 | ×8,000 ～500,000 | ×5,000 to 400,000 | |
|
能量過濾像 有效視場大小 |
選擇10eV時，最終像平面（底片)上直徑為80mm 選擇2eV時，最終像平面(底片)上直徑為25mm |
||||
| 相機長度 | |||||
| 選區電子衍射 | 150 ～ 1,500mm | 200 ～ 2,000 mm | 250 ～ 2,500 mm | 300 ～ 3,000 mm | |
| EELS 散射 | |||||
| 狹縫上 | 1.2 μm／eV, 200 kV | ||||
| 最終像平面 | 50 ～ 300 μm／eV, 200 kV | ||||
| 樣品室 | |||||
| 移動量(XY / Z) | 2mm／0.2mm | 2mm／0.4mm | 2mm／0.4mm | 2mm／0.4mm | 2mm／0.4mm |
| 傾斜角(X / Y)*3 | ±25°／±25° | ±35°／±30° | ±42°／±30° | ±15°／±10° | ±38°／±30° |
| 傾斜角(X)*4 | ±25° | ±80° | ±80° | ±80° | ±80° |
| EDS*5 | |||||
| 固體角*6 | 0.13 sr | - | 0.09 sr | ||
| 取出角 | 25° | - | 20° | ||
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