湖南省長(zhǎng)沙市車站北路湘域智慧南塔6樓
安徽省合肥市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)大道110號(hào)新材料園F9A號(hào)樓511室
0731-84284278
0731-84284278
service@hncsw.net
0731-84284278
牛津儀器 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）PlasmaPro 100
名稱：其他儀器與工具
品牌：
型號(hào)：
簡(jiǎn)介：設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。 高質(zhì)量的薄膜，高產(chǎn)量和出色的均勻性 電極的適用溫度范圍寬 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓 可快速更換硬件...
申請(qǐng)服務(wù)
- 產(chǎn)品介紹
設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。
-
高質(zhì)量的薄膜，高產(chǎn)量和出色的均勻性
-
電極的適用溫度范圍寬
-
兼容200mm以下所有尺寸的晶圓
-
可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓
-
成本低且易于維護(hù)
-
電阻絲加熱電極，最高溫度可達(dá)400°C或1200°C
-
實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝
應(yīng)用
- 高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅 和 二氧化硅 用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途
- 用于高亮度LED 生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
特點(diǎn)
通過(guò)均勻的高導(dǎo)通路徑連接的腔室，將反應(yīng)粒子輸送到襯底
在維持低氣壓的同時(shí)，允許使用較高的氣體通量
高度可變的下電極
充分利用等離子體的三維特性，在最優(yōu)的高度條件下，襯底厚度最大可達(dá)10mm
電極的溫度范圍寬（-150°C至+ 400°C），可通過(guò)液氮，液體循環(huán)制冷機(jī)或電阻絲加熱
可選的吹排及液體更換單元可自動(dòng)進(jìn)行模式切換
由再循環(huán)制冷機(jī)單元供給的液體控溫的電極
出色的襯底溫度控制
射頻功率加載在噴頭上，同時(shí)優(yōu)化氣體輸送
提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝，可精確控制薄膜應(yīng)力
ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm
確保最大200mm晶圓的工藝均勻性
高抽氣能力
提供了更寬的工藝氣壓窗口
晶圓壓盤與背氦制冷
更好的晶片溫度控制
最新產(chǎn)品
相關(guān)產(chǎn)品
